IRLR2905TRPBF  MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC

英飛凌進(jìn)口原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，歡迎咨詢

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無(wú)鉛環(huán)保

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 16 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 69 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 2.3 mm  

長(zhǎng)度: 6.5 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: HEXFET Power MOSFET  

寬度: 6.22 mm  

商標(biāo): Infineon / IR  

下降時(shí)間: 15 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 84 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns  

零件號(hào)別名: SP001558410  

單位重量: 4 g