本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：單 集電極—發(fā)射極MAX電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：1.85 V 正極/發(fā)射極MAX電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：60 A Pd-功率耗散：308 W IGBT晶體管MIN工作溫度：-55 C IGBT晶體管MAX工作溫度：+ 150 C 封裝：Tube 集電極極大連續(xù)電流Ic：60 A 高度：20.7毫米 長度：15.87毫米 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：IGBT 零件號別名：IRGP35B60PDPBF SP001546216 單位重量：38 g 特征 •NPT技術(shù)，正溫度系數(shù) •較低的VCE（SAT） •較低的寄生電容 •極少尾電流 •HEXFRED超快速軟恢復(fù)共裝二極管 •更嚴(yán)格的參數(shù)分配 •更高的可靠性 好處 •并行操作以用于更高電流的應(yīng)用 •更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗 •更高的開關(guān)頻率高達(dá)150kHz 應(yīng)用領(lǐng)域 •電信和服務(wù)器SMPS •PFC和ZVS SMPS電路 •不間斷電源 •消費電子電源 •環(huán)保 額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 60 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 34 ICM Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4) 120 ILM Clamped Inductive Load Current Q) 120 IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 40 IF @ TC = 100°C Diode Continous Forward Current 15 IFRM Maximum Repetitive Forward Current @ 60 VGE Gate-to-Emitter Voltage ±20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 308 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 123 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C Soldering Temperature for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)