一般說(shuō)明

AO4468結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)

和電池保護(hù)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要

AO4468

VDS 30V

ID（VGS = 10V）10.5A

RDS（ON）（VGS = 10V時(shí)）<17mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<23mΩ

*符合RoHS和無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)

ESD保護(hù)

100％UIS經(jīng)過(guò)測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AO4468

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測(cè)量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來(lái)保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過(guò)安裝在1in2 FR-4板上的器件測(cè)得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO4468

規(guī)格FET 類型N 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）30V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）10.5A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）14 毫歐 @ 11.6A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1200pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝8-SOIC