規(guī)格書：AO4486

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 79 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 942pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

AO4486 AO4486

                                   深圳市宏源世紀科技有限公司

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