深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市
手機(jī)掃碼查看 移動(dòng)端的落地頁(yè)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 安富世紀(jì),只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對(duì)全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
BSO4804-SOP8-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
價(jià)格
訂貨量(個(gè))
¥0.10
≥1
店鋪主推品 熱銷(xiāo)潛力款
钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
在線客服
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
小琳/顏娜/小蔡
聯(lián)系電話
钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
安富世紀(jì),只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對(duì)全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
BSO4804 BSO4804 BSO4804 BSO4804
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長(zhǎng)度: 4.9 mm
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 24 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9.1 ns
單位重量: 540 mg
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長(zhǎng)度: 4.9 mm
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 24 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9.1 ns
單位重量: 540 mg
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V