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led顯示屏和led屏驅(qū)動芯片（一）

1、 亮度

去年年底討論的行業(yè)《標(biāo)準(zhǔn)》中，對于“亮度”這個重要性能沒有給出明確的特性要求，這是符合GB／T1．2－2002的。在《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第2部分：標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性技術(shù)要素內(nèi)容的確定方法》的”5．4．3由供方確定的數(shù)值“中提及：“如果允許產(chǎn)品存在多樣化，則產(chǎn)品的某些特性值可不必做出規(guī)定（盡管這些特性對產(chǎn)品的性能有明顯的影響）”。因為LED顯示屏的使用環(huán)境千差萬別，照度（也就是一般人所說的環(huán)境亮度）不一樣，所以”對于大多數(shù)復(fù)雜產(chǎn)品，只要標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了相應(yīng)的試驗方法，則由供方提供一份性能數(shù)據(jù)（產(chǎn)品信息）一覽表比標(biāo)準(zhǔn)中給出具體的性能要求更好”。這些都是符合國際標(biāo)準(zhǔn)的，但這樣也就造成了在競中不切實際的互相攀比，用戶對此又不了解，致使許多標(biāo)書中要求的“亮度”往往遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于實際需要。因此，建議為了引導(dǎo)用戶正確理解LED顯示屏的“亮度”這個性能指標(biāo)，行業(yè)有必要給出一個指導(dǎo)：在某些場合，在不同照度的使用環(huán)境下，LED顯示屏的亮度達(dá)到什么值就可以滿足要求。

 2、基色主波長誤差

將基色主波長誤差指標(biāo)，從“基色波長誤差”改到“基色主波長誤差”，更能說明這個指標(biāo)反映的是LED顯示屏的一個什么特性。顏色的主波長相當(dāng)于人眼觀測到的顏色的色調(diào)，是一個心理量，是顏色相互區(qū)分的一種屬性。而這個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能要求，從字面上，用戶是無法了解到它是反映LED顯示屏顏色均勻性的一個指標(biāo)。因此，是引導(dǎo)用戶先弄明白這個術(shù)語，而后再理解這個指標(biāo)？還是首先從客戶的角度來認(rèn)識和了解LED顯示屏，再給出用戶能明白的淺顯易懂的性能特性？就象前面提到的GB／T1。

MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

驅(qū)動電路時應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動電路又是開關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設(shè)計MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路時，應(yīng)考慮一下幾個因素：

（1）要有一定的驅(qū)動功率。也就是說，驅(qū)動電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時間和關(guān)斷時間內(nèi)對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實質(zhì)上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動速度越快。

（2）驅(qū)動電路延遲時間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時，有時須加反向電壓，以防止受到干擾時誤開通。

（4）驅(qū)動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對于中小功率的驅(qū)動電路，用脈沖變壓器的方法實現(xiàn)隔離為簡單，而在大功率的應(yīng)用場合，則要使用集成驅(qū)動器驅(qū)動。