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IGBT的驅動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

led電源驅動的優(yōu)勢在于那方面？

1.高可靠性常見的led路燈是采用led驅動電源，它的維修費用高，維修也不方便

2. LED是節(jié)能產品,驅動電源的效率要高。對于電源安裝在燈具內的結構,尤為重要。因為LED的發(fā)光效率隨著LED溫度的升高而下降,所以LED的散熱非常重要。

3.高功率因素功率因素是電網對負載的要求。一般70瓦以下的用電器,沒有強制性指標。雖然功率不大的單個用電器功率因素低一點對電網的影響不大,但晚上大家點燈,同類負載太集中,會對電網產生較嚴重的污染。

4.驅動方式現在通行的有兩種：其一是一個恒壓源供多個恒流源,每個恒流源單獨給每路LED供電。這種方式,組合靈活,一路LED故障,不影響其他LED的工作,但成本會略高一點。另一種是直接恒流供電,LED串聯或并聯運行。它的優(yōu)點是成本低一點,但靈活性差,還要解決某個LED故障,不影響其他LED運行的問題。這兩種形式,在一段時間內并存。多路恒流輸出供電方式,在成本和性能方面會較好。也許是以后的主流方向。

5.浪涌保護 LED抗浪涌的能力是比較差的,特別是抗反向電壓能力。加強這方面的保護也很重要。由于電網負載的啟甩和雷擊的感應,從電網系統會侵入各種浪涌,有些浪涌會導致LED的損壞。因此LED驅動電源要有抑制浪涌的侵入,保護LED不被損壞的能力。

6.保護功能 電源除了常規(guī)的保護功能外,在恒流輸出中增加LED溫度負反饋,防止LED溫度過高。

7.防護方面 燈具外安裝型,電源結構要防水、防潮,外殼要耐曬。

8.驅動電源的壽命要與LED的壽命相適配。

集成驅動Ic

集成驅動 IC 在 15 mA 電流下的壓降僅 105 mV，效能業(yè)界前頭，為照明應用提供了更多的設計彈性。如此可提升整體效率，并提供所需的電壓余度，補償供應電壓之中的 LED正向電壓偏差及變動。BCR431U 能讓照明設計增加更多 LED，例如用同一個 IC 驅動七個串聯 LED，而不只是六個LED；或者，也能用來增加 LED 燈條設計的整體長度，例如從 5米增加到 7 米。整體而言，LED 燈條越長，代表接電點越少，以及更少的安裝工作。

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