北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠
NR9-1000py

問題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設(shè)計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？

A 美國光刻膠，F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應用產(chǎn)品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過HMCTS

silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請問，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers

光刻膠的分類

以下是賽米萊德為您一起分享的內(nèi)容，賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)光刻膠，歡迎新老客戶蒞臨。

硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：（1）將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類

光刻膠的技術(shù)復雜，品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結(jié)果示意圖 [2]  。

光刻膠的作用有什么？

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。