深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷(xiāo)售,
對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大,因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開(kāi)通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開(kāi)路。

LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC是一個(gè)重要的零部件,它如同人的大腦,執(zhí)掌著全身上下的身體行動(dòng)及其大腦思維觀念的運(yùn)行。

瑞泰威電子元件生產(chǎn)制造企業(yè)友情提示驅(qū)動(dòng)器IC的特性高低決策了LED顯示器界面開(kāi)播的實(shí)際效果,尤其是在小間隔LED顯示器的運(yùn)用中,以便確?？蛻糸L(zhǎng)期用眼的舒適感,低亮高灰變成磨練驅(qū)動(dòng)器IC特性的一個(gè)尤其關(guān)鍵的規(guī)范,促使大家對(duì)LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC的規(guī)定更為苛刻。

存儲(chǔ)芯片可簡(jiǎn)易分成閃存芯片和運(yùn)行內(nèi)存，閃存芯片包含NANDFLASH和NORFLASH，運(yùn)行內(nèi)存關(guān)鍵為DRAM。以便更為便捷的了解存儲(chǔ)芯片的功效，假如把實(shí)行一段詳細(xì)的程序流程形容成生產(chǎn)制造一個(gè)商品，那麼存儲(chǔ)芯片等同于庫(kù)房，而CPU等同于生產(chǎn)加工生產(chǎn)車(chē)間。

以便提升商品生產(chǎn)制造的速率，提高生產(chǎn)加工生產(chǎn)車(chē)間的是一個(gè)方式 ，也就是提升CPU的特性；還有一個(gè)方式 便是減少原料從庫(kù)房到生產(chǎn)加工生產(chǎn)車(chē)間的時(shí)間，設(shè)定一個(gè)臨時(shí)性的小倉(cāng)庫(kù)，堆積現(xiàn)階段專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)制造的商品的原料，能夠 大大縮短生產(chǎn)制造時(shí)間。倉(cāng)庫(kù)等同于存儲(chǔ)芯片中的閃存芯片，而小倉(cāng)庫(kù)則等同于存儲(chǔ)芯片中的運(yùn)行內(nèi)存，針對(duì)電子設(shè)備的運(yùn)作都必不可少，因而他們?cè)谏唐返倪\(yùn)用范疇上擁有很高的重疊度。