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MOSFET數(shù)字電路
數(shù)字科技的進(jìn)步,如微處理器運(yùn)算效能不斷提升,帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力,這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快,幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明,這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗,只有在邏輯門(logic gate)的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣,在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管(NMOS或是PMOS)處在導(dǎo)通的狀態(tài)下,另一種必定是截止?fàn)顟B(tài),這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑,大量節(jié)省了電流或功率的消耗,也降低了集成電路的發(fā)熱量。
MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流(DC)信號(hào)而言,MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大(等效于開路),也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn),而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電,而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里,除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載(off-chip load)的驅(qū)動(dòng)器(driver)外,每一級(jí)的邏輯門都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極,如此一來(lái)較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下,BJT的邏輯電路(例如常見的TTL)就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn),例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)(loading effect)。
存儲(chǔ)芯片可簡(jiǎn)易分成閃存芯片和運(yùn)行內(nèi)存,閃存芯片包含NANDFLASH和NORFLASH,運(yùn)行內(nèi)存關(guān)鍵為DRAM。以便更為便捷的了解存儲(chǔ)芯片的功效,假如把實(shí)行一段詳細(xì)的程序流程形容成生產(chǎn)制造一個(gè)商品,那麼存儲(chǔ)芯片等同于庫(kù)房,而CPU等同于生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間。
以便提升商品生產(chǎn)制造的速率,提高生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間的是一個(gè)方式 ,也就是提升CPU的特性;還有一個(gè)方式 便是減少原料從庫(kù)房到生產(chǎn)加工生產(chǎn)車間的時(shí)間,設(shè)定一個(gè)臨時(shí)性的小倉(cāng)庫(kù),堆積現(xiàn)階段專業(yè)生產(chǎn)制造的商品的原料,能夠 大大縮短生產(chǎn)制造時(shí)間。倉(cāng)庫(kù)等同于存儲(chǔ)芯片中的閃存芯片,而小倉(cāng)庫(kù)則等同于存儲(chǔ)芯片中的運(yùn)行內(nèi)存,針對(duì)電子設(shè)備的運(yùn)作都必不可少,因而他們?cè)谏唐返倪\(yùn)用范疇上擁有很高的重疊度。
1、驅(qū)動(dòng)芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動(dòng)芯片管芯的快速散熱,例如直接將裸片固定在銅片上,并且有一針直接延伸到封裝外部,以便于直接在PCB板的銅箔上直接導(dǎo)熱。當(dāng)電流達(dá)到300~1,000mA時(shí),類似于4X4mm的芯片一定會(huì)產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱,因此,芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。
2、驅(qū)動(dòng)芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個(gè)LED燈具產(chǎn)品能否順利通過(guò)CE、UL等認(rèn)證有關(guān),因此在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)中要選擇先進(jìn)的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。
3、驅(qū)動(dòng)芯片本身的功耗要求小于0.5W,開關(guān)工作頻率要求大于120Hz,以免工頻干擾引起可見閃爍。
總之,無(wú)論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動(dòng)芯片。