冷光片驅(qū)動ic公司 瑞泰威驅(qū)動IC 負壓驅(qū)動ic材質(zhì)
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電源電壓 正常標(biāo)準(zhǔn)
型號規(guī)格 齊全
可售賣地 全國
數(shù)量 9999
貨源類別 現(xiàn)貨
品牌 瑞泰威
產(chǎn)地 中國
配送服務(wù) 同城可配送到廠,其他可以快遞、物流、貨運
供貨方式 加工、定制、銷售
報價方式 按實際訂單報價為準(zhǔn)
倉庫地址 深圳市南山區(qū)桃源街道峰景社區(qū)龍珠大道040號梅州大廈1511
特色服務(wù) 全新原裝正品 24小時內(nèi)發(fā)貨
產(chǎn)品編號 13281592
商品介紹
深圳市瑞泰威科技有限公司主營:各類驅(qū)動IC,存儲IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,




LCD驅(qū)動IC型號大全

一、字符型LCD驅(qū)動控制IC

市場上通用的8×1、8×2、16×1、16×2、16×4、20×2、20×4、40×4等字符型LCD,基本上都采用的KS0066作為LCD的驅(qū)動控制器 。

二、圖形點陣型LCD驅(qū)動控制IC

1、點陣數(shù)122×32--《SED1520 數(shù)據(jù)手冊》(英文)

2、點陣數(shù)128×64

(1)ST7920/ST7921,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式,內(nèi)置中文漢字庫 ;

(2)KS0108,只支持并行數(shù)據(jù)操作方式,這個也是通用的12864點陣液晶的驅(qū)動控制IC ;

(3)ST7565P,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式 ;

(4)S6B0724,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式 ;

(5)T6963C,只支持并行數(shù)據(jù)操作方式。

3、其他點陣數(shù)如192×64、240×64、320×64、240×128的一般都是采用T6963c驅(qū)動控制芯片。

4、點陣數(shù)320×240,通用的采用RA8835驅(qū)動控制IC。




LCD驅(qū)動IC的原理是液晶顯示器訊號掃描方式為e5a48de588b6e799bee5baa6e997aee7ad9431333337623439一次一列,并且逐列而下。Gate Driver IC連結(jié)至晶體管之Gate端,負責(zé)每一列晶體管的開關(guān),掃描時一次打開一整列的晶體管。當(dāng)晶體管打開(ON)時,Source Driver IC才能夠逐行將控制亮度、灰階、色彩的控制電壓透過晶體管Source端、Drain端形成的通道進入Panel的畫素中。因為Gate Driver IC負責(zé)每列晶體管的開關(guān),所以又稱為Row Driver或Scan Driver。當(dāng)Gate Driver逐列動作時,Source Driver IC負責(zé)在每一列中將數(shù)據(jù)電壓逐行輸入,因此又稱為Column Driver或Data Driver。



IGBT的驅(qū)動電路特點(一)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。



輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比:

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點:擊穿電壓低,工作電流小。



DDR做為運用普遍的動態(tài)性隨機存儲器儲存器,被運用于無線路由器、光纖貓等機器設(shè)備中,DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù),因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。




以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子,容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等,

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等,操作溫度0°C~85°C,工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V,有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù),能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負荷,在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強信號的一致性、改進材料傳送及存儲的可信性。


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