一）產(chǎn)品用途：對于石墨烯生長工藝非常合適。制作硅片可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，對于離子注入后的貴金屬，各種黃金首飾，金剛石等材料的抗彎強(qiáng)度和磨耗也有了較大幅度的提高。并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。適用于集成電路與半導(dǎo)體研發(fā)。也可做：于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等行業(yè)進(jìn)行真空燒結(jié)、氣氛保護(hù)燒結(jié)、CVD實(shí)驗(yàn)、物質(zhì)成分測量等場合使用。

（二）主要功能和特點(diǎn)：

1.此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)，滑軌式設(shè)計(jì)在操作時可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。

2、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子氣相；

3、提高了氣相反應(yīng)的沉積速率、成膜質(zhì)量；

4、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率；

4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

5.常用氣體：氮?dú)猓瑲鍤?，氫氣，甲烷四種氣體混合使用。比例咨詢專家