變頻器IG和IGCT的區(qū)別在哪里?

1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。
2、相對(duì)于IG而言，IGCT投放市場(chǎng)的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒(méi)有IG廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如IG。
目前的 IG和IGCT開(kāi)、關(guān)損耗都差不多，構(gòu)成的變頻器，效率也差別不大。 要論，主要是IGCT的耐壓目前比IG的耐壓高，應(yīng)用于高壓變頻器的話使得器件減少。

但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰(shuí)是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭(zhēng)論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對(duì)IG有什么。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。

二極管模塊FS300RE3/AGDR-61C現(xiàn)貨ABBIG模塊

與IGCT所對(duì)應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。
IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過(guò)模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

二極管模塊FS300RE3/AGDR-61C現(xiàn)貨ABBIG模塊

IGCT集IG（絕緣門(mén)極雙極性晶體管）的高速開(kāi)關(guān)特性和GTO（門(mén)極關(guān)斷晶閘管）的高阻斷電壓和低導(dǎo)通損耗特性于一體，一般觸發(fā)信號(hào)通過(guò)光纖傳輸?shù)絀GCT單元。在ACS6000的有緣整流單元的相模塊里，每相模塊由IGCT和續(xù)流二極管、鉗位電容、阻尼電阻組成，由獨(dú)立的門(mén)極供電單元GUSP為其提供能源