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Futurrex-負光阻光刻膠-光阻光刻膠
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二、預烘和底膠涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)
由于光刻膠中含有溶劑,所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。
底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。
PR1-1500A1光刻膠
6,堅膜
堅膜也叫后烘,是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象,能使膠膜附著能力增強,康腐蝕能力提高。
堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min
7,顯影檢驗
光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡
小孔、小島。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢: - 優(yōu)異的分辨率性能 - 快速地顯影 - 可以通過調節(jié)曝光能量很容易地調節(jié)倒梯形側壁的角度 - 耐受溫度100℃ - 室溫儲存保質期長達3 年
光刻膠概況
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光刻膠又稱光致抗蝕劑,是光刻工藝的關鍵化學品,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用,是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類。其中,樹脂約占 50%,單體約占35%,光引發(fā)劑及添加助劑約占15%。