北京賽米萊德貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電工電氣輔材
正負光刻膠-干膜光刻膠-Futurrex
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光刻膠介紹
光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料,隨后被改進運用到PCB板的制造,并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。
光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,耗時占整個芯片工藝的40%~60%,是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例,在光刻工藝中,光刻膠被均勻涂布在襯底上,經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求,半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率,世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別,光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及達到EUV(<13.5nm)線水平。
目前,半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠,其中,g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。
光刻膠趨勢
半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定, 2017年全球市場約13.5億美元;國內(nèi)市場約20.2億元,近5年復(fù)合增速達12%。受全球半導(dǎo)體市場復(fù)蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,預(yù)計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速,國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。
光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設(shè)備價格昂貴,需要一定前期資本投入;光刻膠企業(yè)通常運營成本較高,下游廠商認證采購時間較長,為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢,需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金,光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘,國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商,其公司規(guī)模更大,具有資金和技術(shù)優(yōu)勢。
總體上,光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持?!秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》,提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備,開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”;國家重點支持的高新技術(shù)領(lǐng)域(2015)中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細化學(xué)品重要組成部分,是重點發(fā)展的新材料技術(shù)”;光刻技術(shù)(包括光刻膠)是《中國制造 2025》重點領(lǐng)域。
光刻膠應(yīng)用
光刻膠是一種具有光化學(xué)敏感性的功能性化學(xué)材料,是由光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹脂、單體(活性稀釋劑)、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體,其中,樹脂約占50%,單體約占35%。它能通過光化學(xué)反應(yīng)改變自身在顯影液中的溶解性,通過將光刻膠均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上,利用它的光化學(xué)敏感性,通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。
光刻膠常被稱為是精細化工行業(yè)技術(shù)壁壘的材料,是因為微米級乃至納米級的圖形加工對其專用化學(xué)品的要求極高,不僅化學(xué)結(jié)構(gòu)特殊,品質(zhì)要求也很苛刻,所以生產(chǎn)工藝復(fù)雜,需要長期的技術(shù)積累。
被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作,是電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應(yīng)用,是微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。