供應(yīng) KF7066 高精度內(nèi)置MOSFET鋰電保護(hù)IC芯片 原廠出貨
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供應(yīng)-KF7066-高精度內(nèi)置MOSFET鋰電保護(hù)IC芯片-原廠出貨

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商品介紹
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品牌 KF
封裝 SOT23
產(chǎn)地 深圳
產(chǎn)品認(rèn)證 UL
額定電壓 3V
封裝材料 SOP
封裝形式 貼片式
功率 0
類型 鋰電保護(hù)IC
批號(hào) 全新原裝
頻率特性 高頻
應(yīng)用范圍 普通工業(yè)
針腳數(shù) 8
功率特性 大功率
型號(hào) KF7066
加工定制
整流元件 全橋
反向重復(fù)峰值電壓 1600(V)
商品介紹

KF7066  系列是一款高精度的單節(jié)可充電鋰電池的內(nèi)置MOSFET  保護(hù)電路,它集高精度過電壓充電保護(hù)、過電流充電保護(hù)、過電壓放電保護(hù)、過電流放電保護(hù)等性能于一身。正常狀態(tài)下,KF7066  VCC  端電壓在過電壓充電保護(hù)閾值(VOC )和過電壓放電保護(hù)閾值(VOD )之間,且其VM  檢測端電壓在過電流充電保護(hù)閾值(VECI )和過電流放電保護(hù)閾值(VEDI )之間,此時(shí)分別使內(nèi)置充電控制N-MOSFET  M1  和放電控制N-MOSFET  M2 導(dǎo)通。這時(shí),既可以使用充電器對電池充電,也可以通過負(fù)載使電池放電。KF7066  通過檢測VCC  VM  端電壓來進(jìn)行過充/ 放電保護(hù)。當(dāng)充/ 放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí),內(nèi)置MOSFET M1/M2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,從而?/span>/ 放電過程停止。KF7066  對每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件,當(dāng)恢復(fù)條件滿足以后,內(nèi)置MOSFET M1/M2  由截止變?yōu)閷?dǎo)通,從而進(jìn)入正常狀態(tài)。KF7066  對每種保護(hù)/ 恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時(shí)間,只有在保護(hù)/ 恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后,才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/ 恢復(fù)。如果保護(hù)/ 恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除,則不進(jìn)入保護(hù)/ 恢復(fù)狀態(tài)。KF7066  具有小型的帶散熱的SOP8-EP  ,外圍器件只需電容值很小的陶瓷電容, 這些特性使得KF7066  非常適合在空間有限的電池系統(tǒng)中使用。
特點(diǎn)
單節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護(hù)
電路
內(nèi)置低導(dǎo)通電阻N-MOSFET
高精度的保護(hù)電壓(過充/ 過放)檢測
高精度過電流(過充/ 過放)保護(hù)檢測
電池短路保護(hù)
可選擇多種型號(hào)的檢測電壓和延遲時(shí)間
可選擇不同型號(hào)0V- 電池充電允許/ 禁止
帶有自動(dòng)恢復(fù)功能的低功耗模式
極少的外圍
小型化帶散熱片的SOP8-EP 封裝
MOSFET: RSS (ON) <21mΩ (VGS=3.8V ,ID=5A)

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市億創(chuàng)微芯電子有限公司
聯(lián)系賣家 李娜 (QQ:2232785377)
電話 재잳잯잯-잲잰잯잰잲잴잭잴
手機(jī) 잵잯잲잵잯잯재잰재잴잯
傳真 재잳잯잯잲잰잯잰잲잴잭잴
網(wǎng)址 http://www.elemchip.cn
地址 廣東省深圳市
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