infineon英飛凌IGBT模塊BSM200GA170DLC
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品牌 infineon
名稱 可控硅/晶閘管
型號 BSM200GA170DLC
類型 IGBT
電源電流 0
用途 詳見資料
特征 英飛凌IGBT模塊全系列
是否跨境出口專供貨源
生產(chǎn)批號 2020/2021
針腳數(shù) /
發(fā)貨地 上海
IGBT 英飛凌
商品介紹


ABBIG型號遵循和變頻器型號一樣的規(guī)則。
71C是用到電壓等級為380V和500V的ACS800機(jī)器里的。
76C則是用到電壓等級為690V的機(jī)器里。
IG模塊是由IG(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IG模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
R7的逆變是一塊大IG(三塊連在一體的小IG)焊接在一塊AGDR上。R8的逆變是3快R7的IG各成一相。
R7的通過AINT過來的3根扁平電纜控制一塊AGDR觸發(fā)三塊小IG,每一根線來控制觸發(fā)一塊小IG,每一快小IG做一相輸出。
R8是AINT過來3根扁平電纜控制3快AGDR,每一塊大的IG各成一相輸出。

概述;

infineon英飛凌IG模塊BSM200GA170DLC

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infineon英飛凌IG模塊BSM200GA170DLC,可控硅IG


IG的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IG導(dǎo)通。
反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IG關(guān)斷。IG的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。
當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IG在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。

infineon英飛凌IG模塊BSM200GA170DLC


SM系列是原西門子IG模塊的命名系統(tǒng)。西門子IG模塊歸入EUPEC后,EUPEC標(biāo)準(zhǔn)系列IG模塊仍沿用西門子型號編制系統(tǒng)。但EUPEC原側(cè)重生產(chǎn)大功率或高壓IG模塊,即EUPEC IHM&IHV系列IG模塊有其自身的命名系統(tǒng),EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon(英飛凌)100%子公司后,所有IG模塊均按EUPEC IG命名系統(tǒng)來命名。

英飛凌IG模塊,infineon英飛凌IG模塊BSM200GA170DLC

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公司名稱 施洛克機(jī)電設(shè)備(福州)有限公司
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