IG是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)的代表性產(chǎn)品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)內(nèi)稱為功率變流裝置的“CPU”，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航tian、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機(jī)傳動(dòng)、汽車等強(qiáng)電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。上海菁園科技，供應(yīng)的IG模塊包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司的各種型號(hào)。

infineon英飛凌IG模塊BSM25GP120，可控硅模塊

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來說，在選擇英飛凌IG模塊時(shí)需考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過載（如短路）的運(yùn)行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開關(guān)頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運(yùn)行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因?yàn)榇蠖鄶?shù)IG模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過載，電網(wǎng)波動(dòng)，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IG 器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線電壓。

IG非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IG可控硅，infineon英飛凌IG模塊BSM25GP120

概述；