PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 

概述

PT6007B 是一款專為保護(hù) 5～7 串鋰離子/聚合物電 池、磷酸鐵鋰電池或鈦酸鋰電池的電池保護(hù)芯片，可降低 因電池過(guò)充，過(guò)放，過(guò)溫和/或過(guò)流條件而導(dǎo)致的電池?fù)p壞 或壽命縮短的風(fēng)險(xiǎn)。 ±25mV 的過(guò)充電檢測(cè)電壓精度保證電池安全的全容量 充電。±10mV 的電流檢測(cè)電壓精度保證放電過(guò)流準(zhǔn)確觸 發(fā)。 PT6007B 的充電過(guò)溫保護(hù)閾值和放電過(guò)溫保護(hù)閾值可 通過(guò)外部電阻獨(dú)立設(shè)置。 PT6007B 可以直接驅(qū)動(dòng)外部 N 型的充電 MOSFET 和 N 型放電 MOSFET，并保留特殊的 CCTL 和 DCTL 引腳， 讓客戶可根據(jù)應(yīng)用控制充放電 MOSFETs。 PT6007B 支持多芯片級(jí)聯(lián)以滿足更多電池串聯(lián)的應(yīng) 用。 PT6007B 的低功耗設(shè)計(jì)讓電池包在存儲(chǔ)階段只消耗微 不足道的電流。

應(yīng)用 

? 電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車 ? 電動(dòng)工具，電動(dòng)園林工具 ? 備用電池系統(tǒng) ? 掃地機(jī)等

特點(diǎn) 

? 內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路： ? 過(guò)充電檢測(cè)電壓： VCOV = 4.25V/3.85V/3.65V/2.80V 精度：±25mV ? 過(guò)充電恢復(fù)電壓： VCOVR = 4.15V/3.65V/3.55V/2.5V ? 過(guò)放電檢測(cè)電壓： VCUV = 2.80V/2.35V/2.00V/1.20V 精度：±80mV ? 過(guò)放電恢復(fù)電壓： VCUVR = 3.00V/2.55V/2.50V/1.50V ? 電池均衡啟動(dòng)電壓： VBL = VCOVR or △VBL =50mV/75mV/100mV 精度：±25mV ? 內(nèi)置三段放電過(guò)電流檢測(cè)電路： ? 放電過(guò)電流 1 檢測(cè)電壓： VDOC1= 50mV/100mV；精度：±10mV ? 放電過(guò)電流 2 檢測(cè)電壓： VDOC2= 2* VDOC1；精度：±20mV ? 負(fù)載短路檢測(cè)電壓： VSC= 5* VDOC1；精度：±50mV ? 內(nèi)置充電過(guò)電流檢測(cè)電路： ? 充電過(guò)電流檢測(cè)電壓： VCOC= 20mV/40mV/60mV/屏蔽；精度：±30% ? 內(nèi)置獨(dú)立的充電過(guò)溫和放電過(guò)溫保護(hù)，可通過(guò)外部電阻 獨(dú)立設(shè)置充電過(guò)溫保護(hù)閾值和放電過(guò)溫保護(hù)閾值 ? 內(nèi)置充電低溫保護(hù) ? 延遲時(shí)間 TDOC1/TDOC2可通過(guò)外部引腳配置 ? 內(nèi)置電池被動(dòng)均衡和斷線檢測(cè)功能 ? 支持多芯片級(jí)聯(lián)應(yīng)用 ? 電子鎖功能 ? 關(guān)斷模式和休眠模式的外部配置引腳 ? 支持磷酸鐵鋰和鈦酸鋰電池應(yīng)用 ? 低消耗電流： ? 正常工作狀態(tài)：<25μa ? 休眠模式：<2μa ? 關(guān)斷模式：<2μa ? 封裝：SSOP-24xxxxxX Assembly Factory Code Lot Number

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 

訂購(gòu)信息 封裝 溫度范圍 訂購(gòu)型號(hào) 包裝打印 產(chǎn)品打印 SSOP-24 -40℃~85℃ PT6007BESSX-YY Tape and Reel 2500 units PT6007B YY xxxxxX Note1: YY 對(duì)應(yīng)表 1 中的參數(shù)選項(xiàng) Note2: Part Number VCOV VCOVR VCUV VCUVR VDOC1 VCOC VBL PT6007BESSX-AA 4.250V 4.150V 2.80V 3.00V 100mV 20mV VCOVR PT6007BESSX-BA 3.850V 3.650V 2.35V 2.55V 100mV 40mV VCOVR PT6007BESSX-CA 3.650V 3.550V 2.00V 2.50V 100mV 40mV VCOVR PT6007BESSX-DA 2.800V 2.500V 1.20V 1.50V 100mV 60mV VCOVR 表.1 可訂購(gòu)料號(hào)的參數(shù)選項(xiàng) Note3: 其他參數(shù)選項(xiàng)的產(chǎn)品型號(hào)需求請(qǐng)聯(lián)系銷售。 參數(shù)選項(xiàng)表 Item Parameter Units Options 1 VCOV V 4.250 3.850 3.650 2.800 VCOVR V 4.150 3.650 3.550 2.500 VCUV V 2.800 2.350 2.000 1.200 VCUVR V 3.000 2.550 2.500 1.500 Selection filled with X 2 VDOC1 mV 50 100 Selection filled with X 3 VCOC mV 20 40 60 Disable Selection filled with X 4 △VBL mV 50 75 100 ΔVCOVR Selection filled with XCell7 DFET C S VREF SEL SOCT BCH VCC V C7 V C6 V C5 V C4 12345678 18 19 20 21 22 23 24 9 10 V C3 17 V C2 16 V C1 15 11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL PCKDDRV V M E N_N VTD VTC VSS CFET 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell6 Cell5 Cell4 Cell3 Cell2 Cell1 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103AT R S 100R 5.1K 10K 510K 1.2M PCK+ 1K 20K 20K 47nF 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1N4148 1K 1K1K 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 典型應(yīng)用電路 圖 1. 7 串電池的典型應(yīng)用電路 (帶電子鎖功能)  11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL DDRV V M E N_N VTD VTC VSS 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell13 Cell12 Cell11 Cell10 Cell9 Cell8 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103A T 5.1M 5.1M PCK+ 20K 20K 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1K 1K1K Cell7 DFET C S VREF SEL SOCT BCH VCC V C7 V C6 V C5 V C4 12345678 18 19 20 21 22 23 24 9 10 V C3 17 V C2 16 V C1 15 11 14 PT6007B (SSOP-24) CDRV CCTL DCTL PCKDDRV V M E N_N VTD VTC VSS CFET 200R 1N4148 47~470nF 1K 1K 1K 1K 1K 1K 1K Cell6 Cell5 Cell4 Cell3 Cell2 Cell1 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 47~470nF 4.7uF 47~470nF 103A T R S 100R 5.1K 10K 510K 1.2M 1K 20K 20K 47nF 1uF S W 13 BCL 12 LSW 1N4148 10M 1M PMOS 10K PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 圖 2. 14 串電池的典型應(yīng)用電路 (帶電子鎖功能)  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB)PT6007B (SSOP-24) CS VSS VTC VC1 VM VC2 BCH CDRV 24 22 20 1 23 4567 18 VC3 3 VC4 2 VC7 DDRV 21 19 CCTL LSW SOCT SEL 17 15 13 EN_N 16 14 BCL VTD 9 10 11 12 VREF 8 DCTL VC5 VC6 VCC

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 管腳定義圖 圖 3. 管腳定義圖 華潤(rùn)矽威科技(上海)有限公司  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB)

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 華潤(rùn)矽威科技(上海)有限公司  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 管腳描述 引腳號(hào)碼 引腳名稱 引腳功能描述 1 DCTL 放電管外部控制輸入管腳 2 CCTL 充電管外部控制輸入管腳 3 CDRV 充電管驅(qū)動(dòng)輸出管腳 4 VM 負(fù)載檢測(cè)和充電器檢測(cè)輸入管腳 5 DDRV 放電管驅(qū)動(dòng)輸出管腳 6 CS 電流感應(yīng)電壓輸入管腳 7 VSS 芯片地 8 VREF 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓和 LDO 輸出 9 SEL 電芯節(jié)數(shù)選擇管腳（接地，懸空，上拉到 VREF） 10 SOCT DOC1 和 DOC2 延遲時(shí)間設(shè)定管腳 11 EN_N 芯片休眠控制管腳（懸空：關(guān)斷；接地：正常工作；接 VREF：允許進(jìn)入 休眠） 12 LSW 低壓開(kāi)關(guān)（懸空：放電管強(qiáng)制關(guān)閉；接地：若無(wú) CUV，DOT，SC 等放電 保護(hù)事件，放電管打開(kāi)） 13 BCL 均衡級(jí)聯(lián)控制低端管腳 14 VTD 放電過(guò)溫閾值設(shè)置管腳 15 VTC 充電過(guò)溫閾值設(shè)置管腳 16 VC1 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 1 17 VC2 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 2 18 VC3 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 3 19 VC4 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 4 20 VC5 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 5 21 VC6 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 6 22 VC7 電芯電壓監(jiān)測(cè)輸入端 7 23 VCC 芯片電源 24 BCH 均衡級(jí)聯(lián)控制高端管腳VC7 VTC VTD CDRV 電池電壓檢測(cè) 和均衡控制 充電過(guò)壓檢測(cè) 放電欠壓檢測(cè) 控制邏輯 延遲時(shí)間控制 充放電控制 放電過(guò)流1檢測(cè) 電池節(jié)數(shù)和均衡控制 VSS CS OW Control DOC1 負(fù)載開(kāi)路和充 電器插入 負(fù)載開(kāi)路檢測(cè) 和充電器檢測(cè) 外部溫度檢測(cè)控制 DOT CUT 溫度檢測(cè)功能 Control Control 電流檢測(cè)功能 DOC2 SC 充電FET驅(qū)動(dòng) VC6 VC2 VC1 EN_N LSW COT CCTL BCH SEL FET驅(qū)動(dòng)控制 和電平轉(zhuǎn)移 DCTL BCL VM 放電FET驅(qū)動(dòng) DDRV 斷線檢測(cè) 電池均衡檢測(cè) CUV COV BL 電池均衡控制 和電平轉(zhuǎn)移 放電過(guò)流2檢測(cè) 短路檢測(cè) 充電過(guò)流檢測(cè) 充放電狀態(tài)檢測(cè) 放電過(guò)溫檢測(cè) 充電過(guò)溫檢測(cè) 充電低溫檢測(cè) COC Control VCC LDO VREF SOCT 時(shí)鐘和 啟動(dòng) 延時(shí)設(shè)置 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 簡(jiǎn)化模塊圖 圖 4. 內(nèi)部模塊簡(jiǎn)化圖 華潤(rùn)矽威科技(上海)有限公司 PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 極限參數(shù)(注 1) (無(wú)特別說(shuō)明，Ta=25°C) 參數(shù) 符號(hào) 對(duì)應(yīng)引腳 參數(shù)范圍 單位 VCC引腳輸入電壓范圍 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+60 V 低壓引腳電壓范圍 VIN_LV1 CS VSS-0.3 to VSS+5.5 V 低壓引腳電壓范圍 VIN_LV2 LSW, BCL, EN_N, SEL, SOCT, VTD, VTC VSS-0.3 to VREF+0.3 V 高壓引腳電壓范圍 VIN_HV1 DCTL, CCTL, BCH VSS-0.3 to VSS+60 V 高壓引腳電壓范圍 VIN_HV2 DCTL, CCTL, BCH VCC-40 to VCC+40 V VM 引腳電壓范圍 VVM VM VSS-1.0 to VCC+0.3 V 電池輸入引腳電壓范圍 VC(n) to VC(n-1), n=2 to 7; VC1 to VSS VCELL (VC7, VC6), (VC6,VC5), (VC5,VC4),  (VC4,VC3), (VC3,VC2), (VC2, VC1),(VC1,  VSS) VSS-0.3 to VSS+60 V 電池輸入引腳電壓范圍 VC(n), n=1 to 7; VC(n) VC(n) VSS-0.3 to VSS+60 V CDRV 引腳電壓范圍 VCDRV CDRV VCC-60 to VSS+18 V DDRV 引腳電壓范圍 VDDRV DDRV VSS-0.3 to VSS+18 V ESD (HBM) (注 2) （不包括 CDRV 和 VM 引腳） ±2 KV 工作結(jié)溫范圍 TA -40 to +85 °C 存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -40 to +125 °C PN 結(jié)到環(huán)境熱阻 (SSOP-24) 130 °C/W 注 1：極限值是指超出該工作范圍 注 2：HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片  PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 電氣參數(shù) (無(wú)特別說(shuō)明，Ta=25°C，VCELL=3.6V) 參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 值 單位 VCC 供電 輸入電壓工作范圍 VCC 5.0 60 V 輸入電流 IVCC_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V，CDRV 懸 空，EN_N=VSS 20 25 μ A IVCC_SLP 休眠模式，VCELL=1.8V，無(wú)充電 器，EN_N=VREF 2.0 μ A IVCC_PD 關(guān)斷模式，VCELL=3.6V，EN_N 懸空 2.0 μ A 啟動(dòng)電壓 VPOR VCC 上升 6.5 V VPOR_HY VCC 下降 4.4 V LDO 輸出電壓 VVREF_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V， EN_N=VSS 或 VREF，無(wú)負(fù)載 4.5 4.75 5.0 V VVREF_PD 關(guān)斷模式，VCELL=3.6V， EN_N 懸 空，無(wú)負(fù)載 3.6 4.0 4.4 V VVREF_SLP 休眠模式，VCELL=1.8V， EN_N=  VREF，無(wú)充電器，無(wú)負(fù)載 0 V LDO 輸出電流能力 IVFEF_NOR 正常狀態(tài)，VCELL=3.6V， EN_N=VSS 或 VREF 4.0 mA IVREF_PD 關(guān)斷模式，VCELL=3.6V， EN_N 懸空 1.0 mA 放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電源 VVREGH VCC>VVREGH+1.5V 13 15 17 V VCCVREGH+1.5V VCC-1.5 V 電壓保護(hù)參數(shù) 電池電壓檢測(cè)周期 TDET 0.4 0.5 0.6 s 過(guò)充電保護(hù)電壓： 4.25V/3.85V/3.65V/2.80V 可選； VCOV 檢測(cè)電池電壓上升 VCOV-25 VCOV VCOV+25 mV 過(guò)充電恢復(fù)電壓： VCOVR =VCOV-ΔVCOV； VCOVR：4.15V/3.65V/3.55V/2.5V可選 VCOVR 檢測(cè)電池電壓下降 VCOVR-25 VCOVR VCOVR+25 mV 過(guò)充電保護(hù)延遲 TCOV 任意一節(jié)電池電壓高于 VCOV 1 2 TDET 過(guò)充電恢復(fù)延遲 TCOVR 所有電池電壓低于 VCOVR 1 2 TDET 過(guò)放電保護(hù)電壓： 2.8V/2.35V/2.0V/1.2V 可選； VCUV 檢測(cè)電池電壓下降 VCUV-80 VCUV VCUV+80 mV 過(guò)放電恢復(fù)電壓： VCUVR= VCUV+ ΔV CUV； VCUVR：3.0V/2.55V/2.5V/1.5V可選 VCUVR 檢測(cè)電池電壓上升 VCUVR-80 VCUVR VCUVR+80 mV 過(guò)放電保護(hù)延遲： 4TDET可選 TCUV 3 4 TDET 過(guò)放電恢復(fù)延遲( TCUVR= TCOVR) TCUVR 1 2 TDET 進(jìn)入休眠延遲時(shí)間 TCUV_SLP 8 TCUV 電池均衡檢測(cè)電壓： VBL= VCOV- △VBL or VBL=VCOVR △V BL: 50/75/100mV 可選 VBL 檢測(cè)電池電壓上升 VBL-25 VBL VBL+25 mV 電池均衡啟動(dòng)延遲 TBL 任意一節(jié)電池電壓高于 VBL 0 1 TDET 電流保護(hù)參數(shù) 放電過(guò)電流 1 保護(hù)電壓： 50mV/100mV 可選 VDOC1 VDOC1-10 VDOC1 VDOC1+10 mV 放電過(guò)電流 2 保護(hù)電壓： VDOC2=2* VDOC1 VDOC2 VDOC2-20 VDOC2 VDOC2+20 mV 負(fù)載短路保護(hù)電壓 VPSC=5* VDOC1 VPSC VPSC-50 VPSC VPSC+50 mV 充電過(guò)電流保護(hù)電壓： VCOC 0.7 1.0 1.3 VCOC

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 

 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 20mV/40mV/60mV 可選 放電過(guò)電流 1 保護(hù)延遲時(shí)間： 1s/2s/4s 可選 TDOC1 0.7 1.0 1.3 TDOC1 放電過(guò)電流 2 保護(hù)延遲時(shí)間： 100ms/200ms/400ms 可選 TDOC2 0.7 1.0 1.3 TDOC2 負(fù)載短路保護(hù)延遲時(shí)間 TPSC 內(nèi)部固定延遲 150 250 350 μS 充電過(guò)流保護(hù)延遲時(shí)間 TCOC 7 10 13 ms 充電過(guò)流恢復(fù)延遲時(shí)間 TCOCR 0.7 1 1.3 s 溫度保護(hù)參數(shù) 放電過(guò)溫保護(hù)閾值 tDOT 由連接到 VTD 引腳的電阻設(shè)定 tDOT-5 tDOT tDOT+5 ° C 放電過(guò)溫恢復(fù)遲滯 tΔDOT 10 ° C 放電過(guò)溫恢復(fù)閾值 tDOTR tDOTR = tDOT –tΔDOT tDOTR-5 tDOTR tDOTR+5 ° C 放電過(guò)溫保護(hù)延遲 TDOT 1 2 TDET 放電過(guò)溫恢復(fù)延遲 TDOTR 1 2 TDET 充電過(guò)溫保護(hù)閾值 tCOT 由連接到 VTC 引腳的電阻設(shè)定 tCOT-5 tCOT tCOT+5 ° C 充電過(guò)溫恢復(fù)遲滯 tΔCOT 5 ° C 充電過(guò)溫恢復(fù)閾值 tCOTR tCOTR = tCOT –tΔCOT tCOTR-5 tCOTR tCOTR+5 ° C 充電過(guò)溫保護(hù)延遲 TCOT 1 2 TDET 充電過(guò)溫恢復(fù)延遲 TCOTR 1 2 TDET 充電低溫保護(hù)閾值 tCUT 由連接到 VTC 引腳的電阻設(shè)定 tCUT-5 tCUT tCUT+5 ° C 充電低溫恢復(fù)遲滯 tΔCUT 5 ° C 充電低溫恢復(fù)閾值 tCUTR tCUTR = tCUT + tΔCUT tCUTR-5 tCUTR tCUTR+5 ° C 充電低溫保護(hù)閾值 TCUT 1 2 TDET 充電低溫恢復(fù)遲滯 TCUTR 1 2 TDET SEL, EN_N, DCTL, CCTL, BCH, BCL, SOCT, LSW 輸入特性 SEL 輸入邏輯高電平閾值 VSEL_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V SEL 輸入中間態(tài)電平閾值 VSEL_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V SEL 輸入邏輯低電平閾值 VSEL_IL 連接 VSS 0.7 V SOCT 輸入邏輯高電平閾值 VST_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V SOCT 輸入中間態(tài)電平閾值 VST_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V SOCT 輸入邏輯低電平閾值 VST_IL 連接 VSS 0.7 V EN_N 輸入邏輯高電平閾值 VEN_IH 連接 VREF VREF-0.7 VREF+0.3 V EN_N 輸入中間態(tài)電平閾值 VEN_IM 懸空 1.5 VREF-1.0 V EN_N 輸入邏輯低電平閾值 VEN_IL 連接 VSS 0.7 V DCTL/CCTL 輸入邏輯高電平閾值 VCTL_IH1 連接 VCC，打開(kāi) MOSFET 驅(qū)動(dòng) VCC-0.1 V DCTL/CCTL 輸入邏輯低電平閾值 VCTL_IL 連接 VSS，關(guān)閉 MOSFET 驅(qū)動(dòng) VCC-1.0 V BCH 輸入邏輯高電平閾值 VBCH_IH 連接 VCC VCC-0.1 V BCH 輸入邏輯低電平閾值 VBCH_IL 懸空 VCC-1.0 V BCL 輸入邏輯高電平閾值 VBCL_IH 停止電池均衡 VREF-0.7 VREF+0.3 V BCL 輸入邏輯低電平閾值 VBCL_IL 允許電池均衡 0.7 V LSW 輸入邏輯高電平閾值 VLSW_IH 連接 VSS，打開(kāi)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) 0.7 V LSW 輸入邏輯低電平閾值 VLSW_IL 懸空，關(guān)閉放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) VREF-0.7 VREF+0.3 V BCL, CDRV, DDRV, LSW 輸出特性 CDRV 輸出電流 ICDR_OH 無(wú)充電保護(hù)事件，VCELL=3.6V， VCDRV=VSS+0.5V 12 μA CDRV 吸收電流 RCDR_OL 充電保護(hù)事件發(fā)生，VCSDSG Hi-Z CDRV&DDRV 輸出電壓 VDDR_OH VCDR_OH 無(wú)充放電保護(hù)事情 VVREGH VDDR_OL 放電保護(hù)事件發(fā)生 0.4 V BCL 輸出電流 IBCL_OH VBCL=VSS+0.5V，電池均衡完成 2 μA

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 電池均衡等效電阻 RBL 電池均衡啟動(dòng) 300 Ω VM VM 引腳吸收電流能力 IVM_LD 負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)啟動(dòng) 100 μ A VM 負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)閾值 VLD_TH 負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)啟動(dòng)，VM 電壓下降 1.5 2.0 2.5 V VM 引腳輸出電流能力 IVM_CHG 充電器檢測(cè)啟動(dòng) 20 μA VM 充電器檢測(cè)閾值 VCHG_TH 充電器檢測(cè)啟動(dòng)，VM 電壓下降 0.4 0.5 0.6 V 功能描述 1. 啟動(dòng) 從 VCC 上電啟動(dòng) 當(dāng)電源接入，充放電 MOSFET 默認(rèn)關(guān)閉；如果 EN_N 懸空，芯片進(jìn)入關(guān)斷模式；如果 EN_N 連接 VSS 或 VREF，芯 片啟動(dòng)電池電壓檢測(cè)功能。 如果電池電壓沒(méi)有過(guò)壓，且 CCTL 為邏輯高電平，芯片打開(kāi)充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)；如果電池電壓沒(méi)有欠壓，且 DCTL 和 LSW 為邏輯高電平，芯片啟動(dòng)負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)。 當(dāng)芯片檢測(cè)到負(fù)載移除，或者 LSW 恢復(fù)信號(hào)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)打開(kāi)，PT6007B 進(jìn)入正常工作狀態(tài)。 從關(guān)斷模式啟動(dòng) PT6007B 在關(guān)斷模式下檢測(cè)到 EN_N 接 VSS，芯片退出關(guān)斷模式，恢復(fù)至芯片進(jìn)入關(guān)斷模式之前的狀態(tài)。 放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)從關(guān)斷模式恢復(fù)，并再次打開(kāi)之前需要檢測(cè)負(fù)載移除。 從休眠模式啟動(dòng) PT6007B 在休眠模式下檢測(cè)到充電器插入，芯片退出休眠模式，恢復(fù)至芯片進(jìn)入休眠模式之前的狀態(tài)。 放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)從休眠模式恢復(fù)，并再次打開(kāi)之前需要檢測(cè)負(fù)載移除。 2. 放電過(guò)電流保護(hù) PT6007B 有三段放電過(guò)電流保護(hù)功能。 DOC1：當(dāng) VCS≥VDOC1且延遲時(shí)間 TD≥TDOC1，DOC1 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。 DOC2：當(dāng) VCS≥VDOC2且延遲時(shí)間 TD≥TDOC2，DOC2 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。 PSC：當(dāng) VCS≥VPSC且延遲時(shí)間 TD≥TPSC，PSC 觸發(fā)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉 在放電過(guò)電流保護(hù)狀態(tài)，若 VCSDSG，芯片啟動(dòng)負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)功能。若芯片檢測(cè)到負(fù)載移除，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)打 開(kāi)。 DOC1 和 DOC2 可通過(guò) LSW 解除。PSC 不可通過(guò) LSW 解除。 3. 充電過(guò)電流保護(hù) PT6007B 集成充電過(guò)電流保護(hù)功能。 COC：在充電狀態(tài)下，若-VCS≥VCOC且延遲時(shí)間 TD≥TCOC，COC 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。此時(shí)，充電過(guò)電流檢 測(cè)功能不會(huì)關(guān)閉。芯片若檢測(cè)到 CS 電壓在充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉并持續(xù) TCOC后沒(méi)有恢復(fù)，則強(qiáng)制關(guān)閉放電 MOSFET 驅(qū) 動(dòng)，禁止電池放電。 在充電過(guò)電流保護(hù)狀態(tài)，COC 需要延遲時(shí)間恢復(fù)（恢復(fù)延遲為 TCOCR）或放電恢復(fù)。充電過(guò)電流保護(hù)狀態(tài)解除后，充 電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)打開(kāi)。 4. 溫度保護(hù) 在正常工作條件下，PT6007B 周期性（1/2TDET）交替檢測(cè)充電過(guò)溫保護(hù)和充電低溫保護(hù)。 COT：在充電狀態(tài)(VCSDSG)，PT6007B 一旦連續(xù)檢測(cè)到電池組的溫度高于充電過(guò)溫保護(hù)閾值 tCOT 兩次，充電過(guò)溫保 護(hù) COT 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。 COT 恢復(fù)：當(dāng)以下條件之一發(fā)生時(shí)，充電過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)就會(huì)被解除。 a) 連續(xù)檢測(cè)到電池組溫度低于充電過(guò)溫保護(hù)恢復(fù)閾值 tCOTR及以下兩次（或低于 tCUT及以下一次）； b) 檢測(cè)到放電電流。 DOT：當(dāng) PT6007B 檢測(cè)到電池組溫度高于 tCOT，芯片在下個(gè)充電低溫檢測(cè)周期關(guān)閉充電低溫檢測(cè)，啟動(dòng)放電過(guò)溫檢測(cè) 功能。芯片一旦連續(xù)檢測(cè)到電池組的溫度高于放電過(guò)溫保護(hù)閾值 tDOT 兩次，放電過(guò)溫保護(hù) DOT 觸發(fā)，充放電 MOSFET 驅(qū) 動(dòng)同時(shí)關(guān)閉。R1 103AT R2 VTD VTC VSS Current sense resistor Discharge current direction 

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) DOT 恢復(fù)：當(dāng)以下條件發(fā)生時(shí)，放電過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)將被解除。 a) 連續(xù)檢測(cè)到電池組溫度降低至放電過(guò)溫恢復(fù)閾值 tDOTR及以下兩次（或低于 tCOT及以下一次）。 當(dāng) DOT 恢復(fù)時(shí)，負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)功能開(kāi)啟，充放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)重新打開(kāi)需要滿足以下條件之一： a) 負(fù)載被移除或者充電器插入 b) LSW 解除。 CUT：PT6007B 一旦連續(xù)檢測(cè)到電池組的溫度低于充電低溫保護(hù)閾值 tCUT 兩次，充電低溫保護(hù) CUT 觸發(fā)，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。 CUT 恢復(fù)：當(dāng)以下兩個(gè)條件之一發(fā)生時(shí)，充電低溫保護(hù)狀態(tài)就會(huì)被解除。 a) 連續(xù)檢測(cè)到電池組溫度高于充電低溫保護(hù)恢復(fù)閾值 tCUTR及以上兩次（或高于 tCOT及以上一次）。 b) 檢測(cè)到放電電流。 DOT、COT、CUT 閾值設(shè)定 圖 5 是溫度檢測(cè)電路，熱敏電阻為 B=3435 的 NTC：103AT。 圖 5.溫度檢測(cè)電路 DOT 閾值設(shè)定 如圖 5，DOT 閾值由連接到 VTD 的電阻 R1 設(shè)定： R1=9*RDOT 其中，RDOT是熱敏電阻 103AT 在 DOT 溫度閾值所對(duì)應(yīng)的阻值。 例如： 設(shè)置 DOT 閾值為 65°C，對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值 RDOT=2.588KΩ，則 R1=23KΩ。 設(shè)置 DOT 閾值為 70°C，對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值 RDOT=2.228KΩ，則 R1=20KΩ。 設(shè)置 DOT 閾值為 75°C，對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值 RDOT=1.924KΩ，則 R1=17KΩ。 COT/CUT 閾值設(shè)定 COT/CUT 閾值由連接到 VTC 的電阻 R2 設(shè)定： R2=4.75RCOT 其中，RCOT是熱敏電阻 103AT 在 COT 溫度閾值所對(duì)應(yīng)的阻值。 CUT 閾值由 RCOT決定： RCUT=7.125RCOT 例如： 設(shè)置 COT 閾值為 45°C，對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值 RCOT=4.911KΩ，則 R2=23KΩ，RCUT=34.5KΩ，對(duì)應(yīng)的 CUT 閾值為- 5.5°C。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 設(shè)置 COT 閾值為 50°C，對(duì)應(yīng)的熱敏電阻阻值 RCOT=4.16KΩ，則 R2=20KΩ，RCUT=30KΩ，對(duì)應(yīng)的 CUT 閾值為-2°C。 COT 閾值和 DOT 閾值由外部電阻 R1 和 R2 分別設(shè)置，可使應(yīng)用更加靈活和便利。 取消 DOT/COT/CUT 功能： 用 20KΩ 的電阻替代熱敏電阻將不會(huì)觸發(fā) COT、DOT 和 CUT。 僅取消 CUT 功能： 將一個(gè) 51KΩ 的電阻與熱敏電阻并聯(lián)將不會(huì)觸發(fā) CUT。 5. 電壓保護(hù)事件 在正常工作條件下，PT6007B 周期性（TDET）檢測(cè)每一節(jié)電池電壓。 過(guò)充電保護(hù) 在充電狀態(tài)下，PT6007B 一旦連續(xù)檢測(cè)到任何一節(jié)電池電壓超過(guò) VCOV兩次，PT6007B 就進(jìn)入過(guò)充電保護(hù)狀態(tài)(COV)， 充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。在 COV 狀態(tài)，PT6007B 一旦檢測(cè)到放電電流，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)打開(kāi)。 如果 PT6007B 連續(xù)檢測(cè)到所有電池電壓低于 VCOVR兩次，PT6007B 退出過(guò)充電狀態(tài)。此時(shí)，若無(wú)其他充電保護(hù)事件， 則打開(kāi)充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 過(guò)放電保護(hù) PT6007B 一旦連續(xù)檢測(cè)到任何一節(jié)電池電壓低于 VCUV 四次，PT6007B 就進(jìn)入過(guò)放電保護(hù)狀態(tài)(CUV)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。此時(shí)，若 EN_N 連接到 VREF，且無(wú)其他保護(hù)事件（CCTL 為邏輯低則默認(rèn)為上一級(jí)芯片發(fā)生充電保護(hù)事件）， 芯片允許進(jìn)入休眠狀態(tài)，充電器檢測(cè)功能開(kāi)啟。 CUV 恢復(fù)需要滿足以下條件： a) 連續(xù)檢測(cè)到所有電池電壓高于 VCUVR兩次 CUV 恢復(fù)后，若無(wú)其他放電保護(hù)事件，負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)功能開(kāi)啟，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)恢復(fù)需要滿足以下條件之一： a) 負(fù)載被移除或者充電器插入 b) LSW 解除。 斷線保護(hù) PT6007B 一旦檢測(cè)不到任何一節(jié)電池電壓檢測(cè)信號(hào)線，PT6007B 就進(jìn)入斷線保護(hù)狀態(tài)(OW)，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)關(guān) 閉。 如果 PT6007B 檢測(cè)到所有電池電壓檢測(cè)信號(hào)線，PT6007B 退出斷線保護(hù)狀態(tài)。此時(shí)，若無(wú)其他充電保護(hù)事件，則打開(kāi) 充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 電池均衡功能 當(dāng) PT6007B 滿足以下所有條件，芯片進(jìn)入均衡允許狀態(tài)： a) 無(wú) COV 和 CUV 以外的其他保護(hù) b) 充電狀態(tài) c) BCL 懸空或接 VSS PT6007B 在均衡允許狀態(tài)，一旦檢測(cè)到某節(jié)電池電壓超過(guò) VBL 一次，該節(jié)電池的均衡功能開(kāi)啟，一直持續(xù)到該節(jié)電池 電壓低于 VBL。如果芯片處于 COV 狀態(tài)，則電池均衡功能將持續(xù)到該節(jié)電池電壓低于 VCOVR，以釋放充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)， 使電池能夠再次充電。 PT6007B 采用奇偶分時(shí)均衡的策略。一旦電池均衡功能開(kāi)啟，奇數(shù)節(jié)的電池在每個(gè)電壓檢測(cè)周期空閑時(shí)間的前半段進(jìn) 行均衡，偶數(shù)節(jié)的電池在每個(gè)電壓檢測(cè)周期空閑時(shí)間的后半段進(jìn)行均衡。 PT6007B 一旦檢測(cè)到滿足以下電池均衡條件，所有電池的均衡功能一起關(guān)閉： a) 檢測(cè)到所有電池電壓高于 VBL b) 檢測(cè)到 BCH 為邏輯高 c) 檢測(cè)到 BCL 為邏輯高 當(dāng) BCL 接 VREF，電池均衡功能被屏蔽。 當(dāng) BCL 接 VSS，PT6007B 一直處于均衡允許狀態(tài)。 6. 延遲時(shí)間設(shè)置 電壓檢測(cè)周期 TDET和溫度檢測(cè)周期由芯片內(nèi)部時(shí)鐘決定。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) SC 和 COC 的延遲時(shí)間由芯片內(nèi)部固定。 CUV 的延時(shí)時(shí)間由芯片內(nèi)部固定。 DOC1 和 DOC2 的延時(shí)時(shí)間由 SOCT 引腳決定。 SOCT TDOC1 Config. TDOC2 Config. VSS 1s 100ms 懸空 2s 200ms VREF 4s 400ms 7. 充放電 MOSFETs 外部控制 PT6007B 的充放電 MOSFETs 驅(qū)動(dòng)可通過(guò) CCTL 和 DCTL 引腳關(guān)閉。 當(dāng) CCTL 引腳連接至高于 VCC-0.1V 的電壓，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)由芯片檢測(cè)到的充電保護(hù)事件和充放電狀態(tài)決 定；當(dāng) CCTL 引腳懸空，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)由充放電狀態(tài)決定。 當(dāng) DCTL 引腳連接至高于 VCC-0.1V 的電壓，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)由芯片檢測(cè)到的放電保護(hù)事件和負(fù)載開(kāi)路檢測(cè) 結(jié)果決定；當(dāng) DCTL 引腳懸空，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)制關(guān)閉。 通過(guò) CCTL 和 DCTL 引腳，PT6007B 支持多芯片級(jí)聯(lián)應(yīng)用。在級(jí)聯(lián)應(yīng)用中，上一級(jí)的芯片通過(guò)下一級(jí)芯片的 CCTL 和 DCTL 來(lái)控制充放電 MOSFETs。 CCTL 和 DCTL 控制邏輯： CCTL Pin CDRV Pin VCC 由充電保護(hù)事件和充放電狀態(tài)決定 懸空 由充放電狀態(tài)決定 DCTL PIN DDRV Pin VCC 由放電保護(hù)事件決定 懸空 關(guān)閉 8. SEL 功能 SEL 用于設(shè)置電池串聯(lián)數(shù)： SEL 電池串聯(lián)數(shù)配置 VSS 7 串 懸空 6 串 VREF 5 串 9. 關(guān)斷模式和休眠模式 關(guān)斷模式 當(dāng) VCC≥VPOR 且 EN_N 懸空，芯片進(jìn)入關(guān)斷模式，外部電源關(guān)閉，VREF 由內(nèi)部電源供電，充放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)和 報(bào)警信號(hào)全部關(guān)閉，芯片進(jìn)入低功耗狀態(tài)。 休眠模式 當(dāng) EN_N 接 VREF，芯片檢測(cè)到欠壓狀態(tài)且無(wú)其他保護(hù)事件（包括 CCTL 邏輯低狀態(tài)），充電器檢測(cè)功能啟動(dòng)。如果在 TCUV_SLP的時(shí)間內(nèi)未檢測(cè)到充電器插入，芯片將進(jìn)入休眠模式，外部電源關(guān)閉，VREF 下拉至 VSS，充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)和充 電器檢測(cè)功能不關(guān)閉，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)和報(bào)警信號(hào)關(guān)閉，芯片進(jìn)入低功耗狀態(tài)。 級(jí)聯(lián)應(yīng)用時(shí)，如果最下面一級(jí)芯片檢測(cè)到 DCTL 處于邏輯低和 CCTL 處于邏輯高，則默認(rèn)為上面一級(jí)或多級(jí)芯片檢測(cè) 到欠壓狀態(tài)且無(wú)其他保護(hù)事件。 關(guān)斷模式和休眠模式的控制由 EN_N 引腳配置，其控制邏輯如下： EN_N 配置 VSS 禁止休眠的工作模式 VREF 允許休眠的工作模式 懸空 關(guān)斷模式 10. 電子鎖功能和 PWM 控制功能

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) PT6007B 通過(guò) LSW 引腳實(shí)現(xiàn)電子鎖功能和 PWM 控制。 電子鎖功能 當(dāng) LSW 通過(guò)電子鎖接 VSS，且沒(méi)有放電保護(hù)事件，PT6007B 打開(kāi)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 當(dāng) LSW 懸空，PT6007B 關(guān)閉放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 以下條件可通過(guò)電子鎖手動(dòng)打開(kāi)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)而不需要負(fù)載開(kāi)路： a) DOT、CUV、DOC1 或 DOC2 保護(hù)事件恢復(fù) b) DCTL 恢復(fù) c) VCC 啟動(dòng)，關(guān)斷模式啟動(dòng)，休眠模式啟動(dòng) d) VREF 的 POR 恢復(fù)。 在這些條件下負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)功能處于開(kāi)啟狀態(tài)，此時(shí)若 LSW 懸空，負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)功能關(guān)閉，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) DDRV 的鎖定狀態(tài)解除，LSW 再次接 VSS 時(shí)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) DDRV 打開(kāi)。 SC 保護(hù)事件恢復(fù)不可通過(guò)電子鎖打開(kāi)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 PWM 控制功能 單片機(jī)可通過(guò)向 LSW 引腳輸出 PWM 信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 PWM 控制。 由于 DCTL 開(kāi)啟放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)時(shí)需要做負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)，故不能用于 PWM 控制。 PWM 控制時(shí)，CS 電壓即使超過(guò)放電過(guò)電流檢測(cè)閾值，但是延遲時(shí)間不足，不會(huì)觸發(fā) DOC1 和 DOC2。為了能夠觸發(fā) PSC，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的高電平時(shí)間不能低于 TSC。 PWM 控制時(shí)，放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)的低電平時(shí)間不能超過(guò) 2ms，否則芯片會(huì)在發(fā)生充電保護(hù)事件時(shí)，因檢測(cè)到充電狀 態(tài)而誤關(guān)充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)。 PWM 控制時(shí)，若發(fā)生 CUV 或 DOT 事件，在電池電壓恢復(fù)或溫度恢復(fù)后負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)不會(huì)解除。 11. CDRV 和 DDRV 驅(qū)動(dòng) PT6007B 集成了較強(qiáng)的放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) DDRV，可以快速開(kāi)啟和關(guān)閉放電 MOSFET，支持 PWM 控制，也可以驅(qū) 動(dòng)多個(gè)放電 MOSFETs。（可驅(qū)動(dòng)的放電 MOSFETs 數(shù)量視選用的 MOSFETs 特性決定） PT6007B 集成了兩路充電 MOSFET 驅(qū)動(dòng) CDRV。在充電狀態(tài)，CDRV 輸出電流源，在放電狀態(tài)，CDRV 輸出電壓 源，有較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力。在充電保護(hù)事件發(fā)生后，芯片一旦檢測(cè)到放電狀態(tài)可快速開(kāi)啟充電 MOSFETs。 12. 負(fù)載開(kāi)路檢測(cè)和充電器檢測(cè) PT6007B 會(huì)在放電保護(hù)事件解除，或 DCTL 轉(zhuǎn)換為邏輯高，或啟動(dòng)之后，開(kāi)啟放電 MOSFET 驅(qū)動(dòng)之前啟動(dòng)負(fù)載開(kāi)路檢 測(cè)功能。此時(shí)，芯片從 VM 引腳吸收 100μA 的電流，若負(fù)載連接，VM 引腳被負(fù)載上拉到電池包正極，不能被吸收電流下 拉。若負(fù)載移除，VM 引腳被吸收電流下拉，芯片檢測(cè)到負(fù)載移除。 PT6007B 在 EN_N 接 VREF 時(shí)允許進(jìn)入休眠模式。芯片在 CUV 狀態(tài)或 DCTL 為邏輯低的條件下，若未檢測(cè)到其他保 護(hù)事件（包括未檢測(cè)到 CCTL 為邏輯低），充電器檢測(cè)功能開(kāi)啟。此時(shí)，芯片從 VM 引腳輸出 20μA 的電流，若充電器插 入，VM 引腳被下拉，芯片不會(huì)進(jìn)入休眠模式。若充電器移除，VM 引腳被輸出電流抬高，芯片在延遲之后進(jìn)入休眠。 13. LDO 輸出 PT6007B 的 VREF 引腳內(nèi)置一個(gè) 4.75V 的 LDO 輸出，可以為低功耗的單片機(jī)供電。該 LDO 在 EN_N=VSS，或 EN_N=VREF 且未進(jìn)入休眠時(shí)輸出 4.75V 電壓，可以為單片機(jī)提供 4mA 的工作電流。在 EN_N 懸空時(shí)，芯片進(jìn)入關(guān)斷 模式，LDO 關(guān)閉，VREF 由芯片內(nèi)部 4V 的電源供電，可用于維持單片機(jī)工作，只能提供 1mA 的工作電流。芯片進(jìn)入 休眠模式時(shí)，LDO 關(guān)閉，VREF 無(wú)輸出，在級(jí)聯(lián)應(yīng)用時(shí)可用于控制上一級(jí)芯片進(jìn)入關(guān)斷模式。 需要注意的是，VREF 集成了 POR 功能，當(dāng) VREF 引腳的輸出電壓被超過(guò)輸出能力的電流拉載到低于 3.2V 時(shí)，芯片 重啟，LDO 進(jìn)入限流模式，直到 VREF 引腳的電壓超過(guò) 3.5V 以上。

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 封裝信息 Symbol Millimeters Inches Min Max Min Max A 1.350 1.750 0.053 0.069  A1 0.100 0.250 0.004 0.010  A2 1.250 1.500 0.049 0.059  b 0.203 0.310 0.008 0.012  c 0.200 0.254 0.008 0.010  D 8.550 8.750 0.337 0.344  E1 3.800 4.000 0.150 0.157  E 5.800 6.200 0.228 0.244  e 0.635(BSC) 0.025(BSC) L 0.400 0.800 0.016 0.031  θ 0° 8° 0° 8°

PT6007B 5～7 串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片 PT6007B_DS_Rev CH0.1 (For AAB) 重要聲明 華潤(rùn)矽威(POWTECH)有權(quán)對(duì)所提供的產(chǎn)品和服務(wù)進(jìn)行更正、修改、增強(qiáng)、改進(jìn)或其它更改，并有權(quán)中止提供任何產(chǎn)品和服務(wù)?？蛻粼?下訂單前應(yīng)獲取最新的相關(guān)信息, 并驗(yàn)證這些信息是否完整且是最新的。所有產(chǎn)品的銷售都遵循在訂單確認(rèn)時(shí)所提供的華潤(rùn)矽威銷售條款與 條件。 華潤(rùn)矽威保證其所銷售的產(chǎn)品的性能符合產(chǎn)品銷售時(shí)半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售條件與條款的適用規(guī)范。僅在華潤(rùn)矽威保證的范圍內(nèi)，且華潤(rùn)矽 威認(rèn)為有必要時(shí)才會(huì)使用測(cè)試或其它質(zhì)量控制技術(shù)。除非適用法律做出了硬性規(guī)定，否則沒(méi)有必要對(duì)每種產(chǎn)品的所有參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 華潤(rùn)矽威對(duì)應(yīng)用幫助或客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)不承擔(dān)任何義務(wù)?？蛻魬?yīng)對(duì)其使用華潤(rùn)矽威的產(chǎn)品和應(yīng)用自行負(fù)責(zé)。為盡量減小與客戶產(chǎn)品和應(yīng) 用相關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)，客戶應(yīng)提供充分的設(shè)計(jì)與操作安全措施。 華潤(rùn)矽威產(chǎn)品未獲得用于FDA Class III（或類似的生命攸關(guān)醫(yī)療設(shè)備）的授權(quán)許可，除非各方授權(quán)官員已經(jīng)達(dá)成了專門管控此類使用的 特別協(xié)議。 只有那些華潤(rùn)矽威特別注明屬于軍用等級(jí)或“增強(qiáng)型塑料”的華潤(rùn)矽威產(chǎn)品才是設(shè)計(jì)或?qū)ｉT用于軍事/航空應(yīng)用或環(huán)境的。購(gòu)買者認(rèn)可并 同意，對(duì)并非指定面向軍事或航空航天用途的華潤(rùn)矽威產(chǎn)品進(jìn)行軍事或航空航天方面的應(yīng)用，其風(fēng)險(xiǎn)由客戶單獨(dú)承擔(dān)，并且由客戶獨(dú)力負(fù) 責(zé)滿足與此類使用相關(guān)的所有法律和法規(guī)要求。 華潤(rùn)矽威未明確指定符合ISO/TS16949 要求的產(chǎn)品不能應(yīng)用于汽車。在任何情況下，因使用非指定產(chǎn)品而無(wú)法達(dá)到ISO/TS16949 要 求，華潤(rùn)矽威不承擔(dān)任何責(zé)任。