RTP快速退火爐-桌面式快速退火爐/12 寸半自動(dòng)快速退火爐-螣芯
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RTP快速退火爐-桌面式快速退火爐-12-寸半自動(dòng)快速退火爐-螣芯

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品牌 螣芯
用途 退火爐
電壓 3 相 380V 100A 50Hz
加工定制 是
功能 紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷
商品介紹
桌面式快速退火爐

RTP-150RL 是在保護(hù)氣氛下的桌面手動(dòng)快速退火系統(tǒng)，以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時(shí)間
短，控溫精度高，適用 2-6 英寸晶片。相對于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系 統(tǒng)和其他 RTP 系統(tǒng)，其獨(dú)特的腔體設(shè)計(jì)、
先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的 RL900 軟件控制系統(tǒng)，確保了極好的熱均勻性。
1.2 產(chǎn)品特點(diǎn)
? 紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷
? 燈管功率 PID 控溫，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性
? 采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體的進(jìn)入口設(shè)置在 Wafer 表面，避免退火過程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證產(chǎn)品良好
的溫度均勻性
? 大氣與真空處理方式均可選擇，進(jìn)氣前氣體凈化處理
? 標(biāo)配三組工藝氣體
? 可測單晶片樣品的尺寸達(dá) 6 英寸（150mm）
? 采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，全方位保障
儀器使用安全
1.3 RTP 行業(yè)應(yīng)用
? 氧化物、氮化物生長
? 硅化物合金退火
? 砷化鎵工藝
? 歐姆接觸快速合金
? 氧化回流
? 其他快速熱處理工藝
二、技術(shù)規(guī)格
RTP-RL150
產(chǎn)品尺寸
6 寸晶圓或者最大支持 150×150mm 產(chǎn)品
腔體材質(zhì)
鍍金鋁制腔體
溫度范圍
室溫~1200℃（＞800℃采用非接觸式溫度計(jì)控溫）
升溫速度
150℃/s 可編程（此溫度為不含載盤的升溫速度）
溫度均勻度
±5℃≤500℃，±1%＞500℃
溫度控制重復(fù)性
±1℃
恒溫持續(xù)時(shí)間
可依據(jù)要求編程
溫控方式
快速 PID 溫控
控溫區(qū)域
多組控溫區(qū)域，保證恒溫區(qū)溫度穩(wěn)定性
降溫速度
約 200℃/min（1000~400℃）不可編程
腔體設(shè)計(jì)
可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
真空泵
風(fēng)冷式干泵
腔體冷卻方式
水冷腔體，獨(dú)立水冷源控制冷卻
冷水機(jī)配置
優(yōu)先選擇瑞樂百德公司配置的冷水機(jī)，或者使用廠務(wù)用水
襯底冷卻方式
氮?dú)獯祾?
工藝氣體
MFC 控制，常規(guī)三路氣體（N2 / O2 / GN2）
控制方式
工業(yè)電腦+PC control
溫度校準(zhǔn)
TC Wafer 及溫度校準(zhǔn)工具（選配）
Wafer 托盤
SiC（選配）
12 寸半自動(dòng)快速退火爐

RTP-300RL 是在保護(hù)氣氛下的半自動(dòng)立式快速退火系統(tǒng)，以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品，工
藝時(shí)間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸晶片。相對于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他 RTP 系統(tǒng)，其獨(dú)特的腔
體設(shè)計(jì)、先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的 RL900 軟件控制系統(tǒng)，確保了極好的熱均勻性。
1.2 產(chǎn)品特點(diǎn)
? 紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷
? 燈管功率 PID 控溫，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性
? 采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體的進(jìn)入口設(shè)置在 Wafer 表面，避免退火過程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證產(chǎn)品良好
的溫度均勻性
? 大氣與真空處理方式均可選擇，進(jìn)氣前氣體凈化處理
? 標(biāo)配兩組工藝氣體，最多可擴(kuò)展至 6 組工藝氣體
? 可測單晶片樣品的最大尺寸為 12 英寸（
300×300mm）
? 采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，全方位保障
儀器使用安全
1.3 RTP 行業(yè)應(yīng)用
? 氧化物、氮化物生長
? 硅化物合金退火
? 砷化鎵工藝
? 歐姆接觸快速合金
? 氧化回流
? 其他快速熱處理工藝
2.1 參數(shù)
RTP-RL300
產(chǎn)品尺寸
4-12 英寸晶圓或者最大支持 300×300mm 產(chǎn)品
其中兼容 4 寸 9 片與 6 寸 4 片晶圓
腔體材質(zhì)
鍍金鋁制腔體
溫度范圍
室溫~1200℃（＞800℃采用非接觸式溫度計(jì)控溫）
升溫速度
150℃/s 可編程（此溫度為不含載盤的升溫速度）
溫度均勻度
±5℃≤500℃，±1%＞500℃
溫度控制重復(fù)性
±1℃
恒溫持續(xù)時(shí)間
可依據(jù)要求編程
控溫區(qū)域
多組控溫區(qū)域，保證恒溫區(qū)溫度穩(wěn)定性
溫控方式
快速 PID 溫控
降溫速度
約 200℃/min（1000~400℃）不可編程
腔體設(shè)計(jì)
可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
真空泵
風(fēng)冷式干泵
腔體冷卻方式
水冷腔體，獨(dú)立水冷源控制冷卻
冷水機(jī)配置
優(yōu)先選擇瑞樂百德公司配置的冷水機(jī)，或者使用廠務(wù)用水
襯底冷卻方式
氮?dú)獯祾?
工藝氣體
MFC 控制，常規(guī)三路氣體（N2 / O2 / GN2）
控制方式
工業(yè)電腦+PC control
四、選配清單
溫度校準(zhǔn)
TC Wafer 及溫度校準(zhǔn)工具（選配）
Wafer 托盤
SiC（選配，升溫速度控制最高 25℃/min）
 
聯(lián)系方式
公司名稱 螣芯科技
聯(lián)系賣家 婁先生 （QQ：1029292366）
手機(jī) 䝒䝐䝒䝓䝓䝔䝗䝘䝖䝕䝓
地址 上海市青浦區(qū)
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