隔離開關(guān)放大器IM1-22EX-R圖爾克TURCK

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平時(shí)我們都關(guān)注示波器的三大核心指標(biāo)：帶寬、采樣率、存儲(chǔ)深度，但是除了三大技術(shù)指標(biāo)，還有底噪、非線性度、偏置誤差等，上述指標(biāo)決定了能否實(shí)現(xiàn)更的測(cè)量，那究竟這些指標(biāo)的高低由誰來決定呢？當(dāng)選用示波器進(jìn)行測(cè)量時(shí)，除了關(guān)注核心指標(biāo)，示波器測(cè)試系統(tǒng)的質(zhì)量也是極為重要的，底噪、非線性度、偏置誤差等決定了是否可以進(jìn)行更好的測(cè)量，而這些指標(biāo)主要由示波器的ADC性能決定，這就要引入一個(gè)概念：等效位數(shù)（ENOB，effectivenumberofbits）。ENOB是什么ENOB（等效位數(shù)）是一個(gè)極為綜合的指標(biāo)，在一定程度上涵蓋了數(shù)字示波器的多種誤差，偏置誤差、增益誤差、非線性度、噪聲等等。在介紹ENOB之前，先介紹下SINAD，即為信號(hào)-噪聲及失真比，SINAD=S/(N+D)，其中S是信號(hào)功率、N是噪聲功率、D是失真功率，也就是說，SINAD與信號(hào)功率呈正比，與噪聲及失真功率呈反比，所以提高SINAD的方法有：降低噪聲、提高信號(hào)的純度（減小信號(hào)的畸變）。為了測(cè)試準(zhǔn)確，OTDR測(cè)試儀的脈沖大小和寬度要適當(dāng)選擇，按照廠方給出的折射率n值的指標(biāo)設(shè)定。在判斷故障點(diǎn)時(shí)，如果光纜長(zhǎng)度預(yù)先不知道，可先放在自動(dòng)OTDR，找出故障點(diǎn)的大體地點(diǎn)，然后放在高級(jí)OTDR。將脈沖大小和寬度選擇小一點(diǎn)，但要與光纜長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，盲區(qū)減小直至與坐標(biāo)線重合，脈寬越小越，當(dāng)然脈沖太小后曲線顯示出現(xiàn)噪波，要恰到好處。再就是加接探纖盤，目的是為了防止近處有盲區(qū)不易發(fā)覺。關(guān)于判斷斷點(diǎn)時(shí)，如果斷點(diǎn)不在接續(xù)盒處，將就近處接續(xù)盒打開，接上OTDR測(cè)試儀，測(cè)試故障點(diǎn)距離測(cè)試點(diǎn)的準(zhǔn)確距離，利用光纜上的米標(biāo)就很容易找出故障點(diǎn)。

基于WB技術(shù)的ROADM架構(gòu)2003年前后，出現(xiàn)了基于平面光波導(dǎo)回路（PLC）技術(shù)，通過集成波導(dǎo)技術(shù)，將解復(fù)用器（通常是AWG）、1×2或2×2光開關(guān)、VO分光器及復(fù)用器等集成在一塊芯片上，提高了ROADM的集成度，降低了系統(tǒng)成本。其功能如所示?；赑LC技術(shù)的ROADM架構(gòu)示意圖2個(gè)維度的ROADM，適用于簡(jiǎn)單的鏈狀或環(huán)狀組網(wǎng)，技術(shù)特點(diǎn)為：從一個(gè)方向光纖來的多波長(zhǎng)信號(hào)首先通過分光器分成直通和下路兩部分，直通部分經(jīng)解波去掉下路波長(zhǎng)后與上路多波長(zhǎng)合波輸出。
EMC設(shè)計(jì)系統(tǒng)主站和從站電路板的設(shè)計(jì)對(duì)系統(tǒng)的EMC至關(guān)重要,而一個(gè)電路板的電磁輻射能力和接收能力往往是一致的。在提高電路板抗干擾能力的同時(shí)，也了電路板的電磁輻射。PCB板的EMC設(shè)計(jì)主要因素有以下幾點(diǎn)：元器件選擇和布局選擇EMC性能好的元器件，并盡量選擇表面貼裝的封裝形式。器件合理布局，把相互有關(guān)的器件盡量放得靠近些，使各部件之間的引線盡量短。特別是微控制器和CAN控制器的時(shí)鐘源晶體一定按規(guī)定放置，否則會(huì)不起振。

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