IPD65R660CFD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 HEXFET集成電路 Infineon
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IPD65R660CFD-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管-HEXFET集成電路

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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號 22+
包裝 最新
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 6A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 660 毫歐 @ 3.22A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 214.55μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 543 pF @ 100 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
型號 IPD65R660CFD
數(shù)量 92000
功率耗散(最大值) 28W(Tc)
FET 類型 N 通道
商品介紹

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公司名稱 半導(dǎo)體電子元器件廠家
聯(lián)系賣家 朱慧 (QQ:2880524286)
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手機 㠗㠚㠓㠛㠛㠛㠘㠛㠚㠛㠒
網(wǎng)址 http://goic1688.com
地址 廣東省深圳市
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