一：特性 

1.低待機(jī)電流 (小于 0.1uA)

2.低導(dǎo)通內(nèi)阻 MOSFET 功率開關(guān)管

— 采用 MOS 工藝設(shè)計功率管

— 800 毫安通道功率管內(nèi)阻 0.48 歐姆

— 200 毫安通道功率管內(nèi)阻 0.44 歐姆

3.特定條件下 VCC 可以懸空

— 輸入信號高電平電壓大于 2.4V

4.較小的輸入電流

— 集成約 15K 對地下拉電阻

— VCC 正常連接，3V 驅(qū)動信號平均 195uA 輸入電流

— VCC 懸空，3V 驅(qū)動信號平均 330uA 輸入電流

5.內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路 (TSD)

6.抗靜電等級：3KV (HBM)

二、應(yīng)用范圍

1.2-6 節(jié) AA/AAA 干電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動

2.2-6 節(jié)鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動

3.1-2 節(jié)鋰電池供電的馬達(dá)驅(qū)動

4.電子鎖

三．概述

該產(chǎn)品采用 H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V 條件下持續(xù)輸出電流達(dá)到 1.1A，峰值輸出電流達(dá)到 1.5A。該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計有芯片級溫度檢測電路，實時監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(典型值 150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重安全事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到安全溫度后，才允許重新對功率管進(jìn)行控制。