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服務于IC產業(yè)的MEMS探卡

片級芯片測試在IC制造工藝中已經成為不可或缺的一部分,發(fā)揮著重要的作用,而測試探卡在圓片級芯片測試過程中起著關鍵的信號通路的作用。分析指出由于芯片管腳密度的不斷增加以及在高頻電路中應用的需要,傳統(tǒng)的組裝式探卡將不能適應未來的測試要求;和傳統(tǒng)探卡的組裝方法相比,MEMS技術顯然更適應當今的IC技術。綜述了針對MEMS探卡不同的應用前景所提出的多種技術方案,特別介紹了傳感技術國家重點實驗室為滿足IC圓片級測試的要求,針對管腳線排布型待測器件的新型過孔互連式懸臂梁芯片和針對管腳面排布型待測器件的Ni探針陣列結構的設計和制造。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產品的優(yōu)質品質和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

3GMR/超導復合式磁傳感器

磁電阻效應是對于一些磁性材料，當施加外磁場時，材料的電阻會發(fā)生變化的效應。這種磁電阻效應次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發(fā)現(xiàn)。這一發(fā)現(xiàn)的材料磁阻變化率很小，只有1%，此效應即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜，并在其中發(fā)現(xiàn)了磁阻變化率達到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應被稱為巨磁電阻(GMR)效應。GMR效應來源于載流電子在不同的自旋狀態(tài)下與磁場的作用不同導致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當鐵磁層的磁矩互相平行時，載流子與自旋有關的散射，材料具有的電阻。而當鐵磁層的磁矩為反平行時，載流子與自旋相關的散射強，材料的電阻。對于GMR效應可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中，不同自旋的電子能帶相同，但是在鐵磁金屬中，不同自旋的能帶發(fā)生劈裂，導致在費米能級處，自旋向上和向下的電子態(tài)密度不同。

在雙電流模型中，假設自旋向上和向下的電子沿層面流動對應兩個互相獨立的導電通道，其中自旋向上的電子，其平均自由程遠大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的電子散射要遠小于自旋向下的電子，從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。

傳感器的作用（二）

4、壓力傳感器

作用：壓力傳感器主要以力學信號為媒介，把流量等參數(shù)與電信號聯(lián)系起來，可測量發(fā)動機的進氣壓力、氣缸壓力、大氣壓、油壓等，常用壓力傳感器可分為電容式、半導體壓阻式、差動變壓器式和表面彈性波式。

電容式多檢測負壓、液壓、氣壓，可測 20～100kPa 的壓力，動態(tài)響應快速敏捷，能抵御惡劣工作條件；壓阻式需要另設溫度補償電路，它常用于工業(yè)生產；相對于差動變壓器式不穩(wěn)定的數(shù)字輸出，表面彈性波式表現(xiàn)異，它小巧節(jié)能、靈敏可靠，受溫度影響小。

5、氣體濃度傳感器

作用：被用來檢測各種氣體濃度。比如氧傳感器，多在發(fā)動機排氣管中，用來評價空燃比。目前應用的有氧化鋯式和氧化鈦式。氧化鋯式更受歡迎，它能在一定溫度下將元件極板內兩側氧濃度差化為濃差電動勢，成本低廉，而且測試結果受環(huán)境影響很小。

6、溫度傳感器

作用：溫度傳感器主要用于檢測動力系統(tǒng)和車內的溫度，它使用了不同種類的電阻器：線繞式、熱敏式、熱偶式。線繞電阻式和熱偶電阻式精度比較高，但線繞電阻式響應不及時，熱偶電阻式不能單獨使用必須搭配放大器和冷端處理，而熱敏電阻式雖靈敏但線性差，使用溫度有限，因此三種傳感器各有優(yōu)劣。

7、爆燃傳感器

作用：它被安裝在發(fā)動機機體上，可檢測氣缸壓力、振動和燃燒噪聲，判斷發(fā)動機的爆燃程度，再通過調整點火來排除隱患。爆燃傳感器常用磁致伸縮式。