二極管的特性舉例

   1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時(shí)的V-I特性

對(duì)應(yīng)于第①段的正向特性，此時(shí)加于二極管的正向電壓只有零點(diǎn)幾伏，但相對(duì)來(lái)說(shuō)流過(guò)管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場(chǎng)還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，因而這時(shí)的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個(gè)大電阻，好像有一個(gè)門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當(dāng)正向電壓大于Vth時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)大為削弱，電流因而迅速增長(zhǎng)。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時(shí)的V-I特性

P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過(guò)PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級(jí)為：硅管nA級(jí)，鍺管大mA級(jí)。

溫度升高時(shí)，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時(shí)的V-I特性

當(dāng)增加反向電壓時(shí)， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒(méi)有多大變化，當(dāng)反向電壓增加到一定大小時(shí)，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對(duì)應(yīng)于第③段，其原因與PN結(jié)擊穿相同。

過(guò)去，硅TVS器件由于電容高，在保護(hù)低壓高速信號(hào)線路方面存在劣勢(shì)。然而，近年來(lái)的技術(shù)進(jìn)步消除了這種不利因素。安森美半導(dǎo)體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護(hù)的優(yōu)勢(shì)與高速應(yīng)用要求的低電容結(jié)合在一起。這個(gè)產(chǎn)品的特性就像一個(gè)簡(jiǎn)單的齊納二極管。事實(shí)上，ESD9L5.0包含一個(gè)擊穿電壓低的齊納二極管和一對(duì)擊穿電壓高(因而電容小)的標(biāo)準(zhǔn)二極管。

瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時(shí)態(tài)的畸變，會(huì)對(duì)微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒(méi)有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會(huì)給芯片器件造成內(nèi)傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。 

二極管又叫半導(dǎo)體二極管、晶體二極管，是最常用的基本電子元件之一。二極管只往一個(gè)方向傳送電流，由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)構(gòu)成，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。