AO4485場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)：

    FET 類型：P 溝道

    技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

    漏源電壓（Vdss）：40V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10A（Ta）

    驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 10A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±20V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3000pF @ 20V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì)：

    場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。

    在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。

    有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。

    場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。