MOSFET KIA12N60H KIA全線代理
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MOSFET-KIA12N60H-KIA全線代理

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聯(lián)系人 張桐/蘇玥

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 KIA12N60H
品牌 KEC
封裝 TO-220
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 直插式
包裝方式 管裝
批號 1825+
數(shù)量 25000
數(shù)量 30000
商品介紹

      MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化層位于其通道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不過有些新的進階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做為氧化層之用。今日半導(dǎo)體元件的材料通常以硅(silicon)為首選,但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程,當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺(germanium)的混合物所發(fā)展的硅鍺制程(silicon-germanium process,SiGe process)。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(gallium arsenide,GaAs),因為無法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層,所以無法用來制造MOSFET元件。

聯(lián)系方式
公司名稱 藍界科技(深圳)有限公司
聯(lián)系賣家 張桐/蘇玥 (QQ:2355295460)
電話 䝑䝗䝏䝏-䝓䝐䝔䝔䝖䝔䝘䝔
手機 䝒䝐䝐䝒䝓䝔䝐䝏䝔䝏䝖
傳真 䝑䝗䝏䝏-䝕䝓䝗䝘䝗䝏䝒䝘
網(wǎng)址 http://gsdzgs.dzsc.com
地址 廣東省深圳市